晶界上原子排列紊乱, 杂质富集,晶体缺陷的密度较大, 且晶界两侧晶粒的位向也不同, 所有这些因素都对位错滑移产生很大的阻碍作用, 从而使强度升高.晶粒越细小, 晶界总面积就越大, 强度就越高.
细化晶粒可以提高材料强度的原因用位错理论解释
晶界上原子排列紊乱, 杂质富集,晶体缺陷的密度较大, 且晶界两侧晶粒的位向也不同, 所有这些因素都对位错滑移产生很大的阻碍作用, 从而使强度升高.晶粒越细小, 晶界总面积就越大, 强度就越高.