晶体管内部的延迟和相移,通常较小,在低频小功率状态下,可以忽略.其输出电压相位与输入电压相位可以认为是相位相同.
在高频时,晶体管内部的延迟和相移不能忽略时,输出电压相位通常落后于输入电压,相位差与晶体管高频特性,负载等因素有关.在电路的截止频率点,相位差是45度.
晶体管内部的延迟和相移,通常较小,在低频小功率状态下,可以忽略.其输出电压相位与输入电压相位可以认为是相位相同.
在高频时,晶体管内部的延迟和相移不能忽略时,输出电压相位通常落后于输入电压,相位差与晶体管高频特性,负载等因素有关.在电路的截止频率点,相位差是45度.