(1)工业清洗硅片上SiO2(s)的反应是:SiO2(s)+4HF(g)═SiF4(g)+2H2O(g)△H(298.1

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  • 解题思路:(1)如果△G=△H-T△S<0,则该反应能自发进行,据此计算温度;

    (2)相同压强时,温度越高,平衡向逆反应方向移动,则四氧化二氮的物质的量减小,据此判断温度高低;

    相同温度时,增大压强平衡向正反应方向移动,四氧化二氮的体积分数减小;

    温度越高,平衡向逆反应方向移动,则化学平衡常数越小.

    (1)如果△G=△H-T△S<0,则该反应能自发进行,所以T<[△H/△S]=

    −94.0

    75.8×10−3K=1240K,

    故答案为:<1240K;

    (2)相同压强时,温度越高,平衡向逆反应方向移动,则四氧化二氮的物质的量减小,所以T1<T2

    相同温度时,增大压强平衡向正反应方向移动,四氧化二氮的体积分数减小;

    温度越高,平衡向逆反应方向移动,则生成物浓度越小、反应物浓度越大,所以化学平衡常数减小,T1<T2,所以B的平衡常数大于C点,

    故答案为:<;正;>.

    点评:

    本题考点: 体积百分含量随温度、压强变化曲线.

    考点点评: 本题考查了温度、压强对化学平衡的影响,采用“定一议二”的方法判断温度大小,再结合平衡移动方向确定化学平衡常数,注意:化学平衡常数只与温度有关,与物质浓度无关,为易错点.