因为半导体的价带电子和导带电子大部分分布在禁带附近,所以当光子能量接近禁带宽度时,大量电子可以通过吸收光子能量进行跃迁.所以此时吸收系数会随着光子数量增大而增大.
根据半导体的电子特性说明为什么当光子能量接近禁带宽度时,吸收系数随光子数量的增加而增大?
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